TiN反應式濺射鍍膜過程中可用的光譜參數
以下是TiN反應式濺射鍍膜過程中可參考的實際OES量測光譜： Ti I 215.2 nm發射譜線： 此光譜顯示了Ti I 215.2 nm發射譜線的強度隨Ti流量率變化的情況。隨著Ti流量率的增加，發射譜線的強度也增加。這是因為電漿中存在更多Ti原子，導致Ti原子和電子之間的碰撞更多。這些碰撞激發Ti原子到更高的能級，當它們返回基態時，會發出215.2 nm的光。 Ti II 308.9 nm發射譜線： 此光譜顯示了Ti II 308.9 nm發射譜線的強度隨Ti流量率變化的情況。隨著Ti流量率的增加，發射譜線的強度也增加。這是因為電漿中存在更多離化的Ti原子，導致離化的Ti原子和電子之間的碰撞更多。這些碰撞激發離化的Ti原子到更高的能級，當它們返回基態時，會發出308.9 nm的光。 N₂ 337.1 nm發射譜線： N₂ 337.1 nm emission line 此光譜顯示了N₂ 337.1 nm發射譜線的強度隨N流量率變化的情況。隨著N流量率的增加，發射譜線的強度也增加。這是因為電漿中存在更多N₂分子，導致N₂分子和電子之間的碰撞更多。這些碰撞激發N₂分子到更高的能級，當它們返回基態時，會發出337.1 nm的光。 N₂+ 391.4 nm發射譜線： 此光譜顯示了N₂+ 391.4 nm發射譜線的強度隨N流量率變化的情況。隨著N流量率的增加，發射譜線的強度也增加。這是因為電漿中存在更多N₂+離子，導致N₂+離子和電子之間的碰撞更多。這些碰撞激發N₂+離子到更高的能級，當它們返回基態時，會發出391.4 nm的光。 Ar I…
