Breaking Traditional Limits: Advanced Hybrid PVD Architecture Combining Pulsed DC and RF Bias
TECHNICAL WHITE PAPER / 技術白皮書 突破傳統限制：結合 Pulsed DC 與 RF 偏壓之高階 Hybrid 物理氣相沉積（PVD）製程架構 Breaking Traditional Limits: Advanced Hybrid PVD Architecture
Tag: OES
中頻電源進行反應式濺射鍍膜使用OES來做製程監控協助Lab值的穩定
利用中頻電源進行反應式濺射鍍膜時，可透過光學發射光譜（OES）來監控TiN薄膜的Lab值。OES可以測量電漿中的元素和分子發射譜線，從而提供有關薄膜組成和性質的信息。 以下是一些可用的OES光譜： 通過監控這些發射譜線，可以跟踪電漿中Ti、N和Ar的相對濃度。此信息可用於調整工藝參數，例如反應氣體的流量率和功率，以實現所需的Lab值。 以下是一些使用OES光譜控制Lab值的具體示例： 通過仔細監控OES光譜並相應調整工藝參數，可以對TiN薄膜的Lab值實現非常精確的控制。這對於生產具有所需光學特性的薄膜至關重要。 除了上面列出的OES光譜外，還有一些其他因素會影響TiN薄膜的Lab值。這些包括基板溫度、沉積壓力和靶材純度。在優化沉積過程時，重要的是要考慮所有這些因素。
TiN反應式濺射鍍膜過程中可用的光譜參數
以下是TiN反應式濺射鍍膜過程中可參考的實際OES量測光譜： Ti I 215.2 nm發射譜線： 此光譜顯示了Ti I 215.2 nm發射譜線的強度隨Ti流量率變化的情況。隨著Ti流量率的增加，發射譜線的強度也增加。這是因為電漿中存在更多Ti原子，導致Ti原子和電子之間的碰撞更多。這些碰撞激發Ti原子到更高的能級，當它們返回基態時，會發出215.2 nm的光。 Ti II 308.9 nm發射譜線： 此光譜顯示了Ti II 308.9 nm發射譜線的強度隨Ti流量率變化的情況。隨著Ti流量率的增加，發射譜線的強度也增加。這是因為電漿中存在更多離化的Ti原子，導致離化的Ti原子和電子之間的碰撞更多。這些碰撞激發離化的Ti原子到更高的能級，當它們返回基態時，會發出308.9 nm的光。 N₂
新一代的OES (EMICON)在等离子工艺应用上的重要性
回顾等离子工艺使用OES (Optical Emission Spectroscopy)的历史，早在1980年代，已有不少大型的玻璃工业尝试使用OES来协助等离子工艺在量化生产的稳定性，同时，也利用OES的特殊性能开发等离子工艺能够使用的新材料。1990年初期，OES著名的代表产品称为PEM (Plasma Emission Monitor)正式在生产大楼帷幕玻璃的等离子溅射流水线上使用，从single Low-e的能源玻璃进化到更具节能效果的double Low-e规范，到了1990年末期，更应用在平面显示器的镀膜工艺上。在2000年以前发展的PEM，多半采用 窄通滤光器 NBPF (Narrow Band-Passed Filter)搭配一个极为灵敏的 光电倍增管 PMT (Photo Multiplier Tube)，透过一套单晶片的处理器计算侦测讯号强度与内部设定强度的差异，将差异值输出到控制反应气体的流量单元: 早期使用的多半是一个