In pulse and HIPIMS plasmas the degree of ionization is one main factor for layer density while layer stoichiometry is ruled by the plasma composition of metal and reactive gas species. Changing either parameter will affect also the other parameter.…
Recently lots of requests on advanced coating configuration in HIPIMS magnetron sputtering: higher deposition rate and high coating layer quality are key demands. With HIPIMS magnetron sputtering, to have the highest thin film quality is for sure, however, the slow…
Power supply is very important in magnetron sputtering processes and applications. The latest advanced power supply from Magpuls is able to perform MF mode or HIPIMS mode stand-alone or combine both output waveform patterns via. hybrid (a waveform editor built…
主要目的是從中央控制室(很遠處，在無塵室外頭)要掌握生產線上使用的每一個EMICON工作站(個別IP)的狀況，以及從中央控製室對各別的EMICON線上工作站下達對應製程的製程參數(RECIPE)。例如: 對大型設備而言，特別是多腔體(multi-chamber)的生產線，線上有很多套EMICON工作站。 單一機台(設定localhost)使用的目的，在於把EMICON隱藏起來，不讓別人知道他們使用的是EMICON。 另一個目的在於有效整合自己的程式系統，或是製作他們自己要用的統計資料來做線上的用途。
Definitions Usually the definitions of two important quality factors – homogeneity and uniformity – are easily mixed up in a deposition process no matter which coating technologies are involved. Note that many articles, papers or technical notes made the same…
This is an interesting question asked often while one touches and senses the plasma by optical emission spectrometry. The radiation we are measuring with the EmiCon OES system is due to a two-step process in the plasma: 1. Ground…
On a PECVD process to coat SiO2 layer with SiH4 precursor reacted with oxygen, a quartz collimator with a honey comb protection device in the front to be mounted onto a KF25 flange.
回顾等离子工艺使用OES (Optical Emission Spectroscopy)的历史，早在1980年代，已有不少大型的玻璃工业尝试使用OES来协助等离子工艺在量化生产的稳定性，同时，也利用OES的特殊性能开发等离子工艺能够使用的新材料。1990年初期，OES著名的代表产品称为PEM (Plasma Emission Monitor)正式在生产大楼帷幕玻璃的等离子溅射流水线上使用，从single Low-e的能源玻璃进化到更具节能效果的double Low-e规范，到了1990年末期，更应用在平面显示器的镀膜工艺上。在2000年以前发展的PEM，多半采用 窄通滤光器 NBPF (Narrow Band-Passed Filter)搭配一个极为灵敏的 光电倍增管 PMT (Photo Multiplier Tube)，透过一套单晶片的处理器计算侦测讯号强度与内部设定强度的差异，将差异值输出到控制反应气体的流量单元: 早期使用的多半是一个 流量计 (flow meter)搭载一颗 压电陶瓷阀 PZT (Lead zirconate titanate: Pb[ZrxTi1-x]O3 0≤x≤1) valve，反应气体的流量经过变化，再次侦测等离子的强度，不断用回路的方式进行修正，让实际侦测的强度趋近内部设定值。为了稳定PEM的控制，PID计算的控制器也成为PEM Closed Loop Control (PEM闭锁回路控制)中很重要的一个角色。由于等离子工艺进步迅速，加上应用市场快速开发，对于镀膜的质量要求越来越严苛。不仅镀膜的质量在同质性(homogeniety: 镀膜期间随著厚度增加时的质量均匀性)的要求增高，同时对镀膜速率的提升也有很大的期许。 因此，2000年开始，新一代的PEM (EMICON: EMISSION CONTROLLER) 不再使用频宽不够精密的窄通滤光器，改用线性的电荷耦合器件CCD，大幅提升光谱的分辨率(resolution)，不但谱线的位置准确，也因为光谱的分辨率提升，把主要用来监控的原子谱线与旁边夹杂的其他杂讯可以轻易地分离，让控制的范围加大且大幅改善控制的精度。这十年在分光仪的工艺上有长足的进步，不仅光谱的分辨率越来越好，也改善CCD的感光度，这些进步的优点，也替新一代的PEM EMICON打开更多应用的市场。虽然新一代的PEM EMICON在价格上较旧型的PEM贵了许多，但不可抹灭的，新一代的PEM EMICON提供更多更精准的性能让生产与研发有更好的信赖度与发展空间。长期使用的成本估算却是远较旧型要节省不少，最重要的是能够让生产线稳定，增加产能也增加营收。 现今，热门的应用如：大气等离子、大楼帷幕玻璃、平面显示器的生产、触摸屏生产、微机电、太阳能电池、半导体、装饰镀膜、超硬膜与光学镀膜都必须搭載新一代的PEM EMICON，来保障生产的稳定与信赖。…
进行等离子溅射镀膜工艺时，有三项宝物是不可或缺的。 等离子工艺监控器 (plasma monitor and process controller) 脉冲式直流电源 (pulsed DC power supply) 或是 中频交流电源 (MF AC power supply) 磁控溅射靶 (magnetron sputtering source) 或称 阴极靶 (cathode source) 第1项的等离子工艺监控器主要负责镀膜的质量与镀率的稳定。 对反应气体(reactive gas)采用高速的PID闭锁回路控制(PID closed loop control)，将检测到的等离子信号强度比对内部设定的预设值，根据比对的结果，转成电压信号将差异值输出到负责供应气体的质流量计(MFC: mass flow controller)，改变供应气体的流量来修正实际等离子体实际反应的状态。再撷取改变后的等离子体的信号强度，又经比对产生修正的电压信号，重复修正气体流量来变化等离子体的行为表现。如此周而复始，一直修正到实测的等离子体信号与内订的预设值接近，甚至相同。在反应式的溅射镀膜期间，需要能够快速反应改变气体的流量，主要目的在于稳定溅射出来的金属靶材原子或分子与反应气体之间能够维持在一个固定的比例(合金比例)。如果，变化反应气体的速度太慢，合金比例只能在饱和区维持，且镀膜速率将会很慢。要能够提高镀膜速率又能改变合金比例且维持稳定的镀膜状态，这个等离子工艺监控器扮演极为重要且关键的角色。