All skills related to MF, HIPIMS, Plasma Emission Monitoring and Controlling for reactive plasma
利用中頻電源進行反應式濺射鍍膜時，可透過光學發射光譜（OES）來監控TiN薄膜的Lab值。OES可以測量電漿中的元素和分子發射譜線，從而提供有關薄膜組成和性質的信息。 以下是一些可用的OES光譜： 通過監控這些發射譜線，可以跟踪電漿中Ti、N和Ar的相對濃度。此信息可用於調整工藝參數，例如反應氣體的流量率和功率，以實現所需的Lab值。 以下是一些使用OES光譜控制Lab值的具體示例： 通過仔細監控OES光譜並相應調整工藝參數，可以對TiN薄膜的Lab值實現非常精確的控制。這對於生產具有所需光學特性的薄膜至關重要。 除了上面列出的OES光譜外，還有一些其他因素會影響TiN薄膜的Lab值。這些包括基板溫度、沉積壓力和靶材純度。在優化沉積過程時，重要的是要考慮所有這些因素。
以下是TiN反應式濺射鍍膜過程中可參考的實際OES量測光譜： Ti I 215.2 nm發射譜線： 此光譜顯示了Ti I 215.2 nm發射譜線的強度隨Ti流量率變化的情況。隨著Ti流量率的增加，發射譜線的強度也增加。這是因為電漿中存在更多Ti原子，導致Ti原子和電子之間的碰撞更多。這些碰撞激發Ti原子到更高的能級，當它們返回基態時，會發出215.2 nm的光。 Ti II 308.9 nm發射譜線： 此光譜顯示了Ti II 308.9 nm發射譜線的強度隨Ti流量率變化的情況。隨著Ti流量率的增加，發射譜線的強度也增加。這是因為電漿中存在更多離化的Ti原子，導致離化的Ti原子和電子之間的碰撞更多。這些碰撞激發離化的Ti原子到更高的能級，當它們返回基態時，會發出308.9 nm的光。 N₂
Lab值是國際照明委員會（CIE）定義的一種色彩空間，用於表示顏色的亮度、色度和飽和度。在反應式電漿磁控濺射鍍膜形成TiN薄膜時，Lab值可以反映薄膜的顏色。 Lab值的三個分量分別為： 在TiN薄膜中，Lab值的變化主要取決於以下製程控制參數： 如何透過製程控制的參數來達到Lab有穩定值的表現 為了使TiN合金薄膜的Lab值每批次的生產都要相同，至少Lab值的誤差必須維持在2%以內，可以透過以下方式來控制製程參數： 此外，還可以使用以下方法來進一步提高Lab值的穩定性： 通過以上措施，可以有效地控制TiN合金薄膜的Lab值，使其在不同批次之間保持穩定。 以下是一些具體的實施建議： 通過不斷地改進製程控制，可以進一步提高TiN合金薄膜的Lab值穩定性，使其更加符合生產要求。
In pulse and HIPIMS plasmas the degree of ionization is one main factor for layer density while layer stoichiometry is
Recently lots of requests on advanced coating configuration in HIPIMS magnetron sputtering: higher deposition rate and high coating layer quality
Power supply is very important in magnetron sputtering processes and applications. The latest advanced power supply from Magpuls is able
主要目的是從中央控制室(很遠處，在無塵室外頭)要掌握生產線上使用的每一個EMICON工作站(個別IP)的狀況，以及從中央控製室對各別的EMICON線上工作站下達對應製程的製程參數(RECIPE)。例如: 對大型設備而言，特別是多腔體(multi-chamber)的生產線，線上有很多套EMICON工作站。 單一機台(設定localhost)使用的目的，在於把EMICON隱藏起來，不讓別人知道他們使用的是EMICON。 另一個目的在於有效整合自己的程式系統，或是製作他們自己要用的統計資料來做線上的用途。
Definitions Usually the definitions of two important quality factors – homogeneity and uniformity – are easily mixed up in a
This is an interesting question asked often while one touches and senses the plasma by optical emission spectrometry. The
